Som vi alla vet är utvecklingstrenden för målmaterialteknologi nära relaterad till utvecklingstrenden för filmteknologi i nedströmsapplikationsindustrin.Med den tekniska förbättringen av filmprodukter eller komponenter i applikationsindustrin bör måltekniken också förändras.Till exempel har Ic-tillverkare nyligen fokuserat på utvecklingen av kopparledningar med låg resistivitet, som förväntas avsevärt ersätta den ursprungliga aluminiumfilmen under de närmaste åren, så utvecklingen av kopparmål och deras nödvändiga barriärmål kommer att vara brådskande.
Dessutom har plattskärmar (FPD) på senare år till stor del ersatt den katodstrålerör (CRT)-baserade datorskärmar och TV-marknaden.Det kommer också att kraftigt öka den tekniska och marknadsmässiga efterfrågan på ITO-mål.Och så är det lagringstekniken.Efterfrågan på hårddiskar med hög densitet och stor kapacitet och raderbara skivor med hög densitet fortsätter att öka.Allt detta har lett till förändringar i efterfrågan på målmaterial inom applikationsindustrin.I det följande kommer vi att presentera de huvudsakliga applikationsområdena för mål och utvecklingstrenden för mål inom dessa områden.
1. Mikroelektronik
I alla applikationsindustrier har halvledarindustrin de strängaste kvalitetskraven för målförstoftningsfilmer.Kiselwafers på 12 tum (300 epistaxis) har nu tillverkats.Bredden på sammankopplingen minskar.Kraven hos tillverkare av kiselwafer för målmaterial är storskalighet, hög renhet, låg segregation och finkornig, vilket kräver att målmaterialen har bättre mikrostruktur.Den kristallina partikeldiametern och enhetligheten hos målmaterialet har betraktats som nyckelfaktorerna som påverkar filmavsättningshastigheten.
Jämfört med aluminium har koppar högre elektromobilitetsmotstånd och lägre resistivitet, vilket kan uppfylla kraven för ledarteknik i submikronledningar under 0,25um, men det medför andra problem: låg vidhäftningsstyrka mellan koppar och organiska mediummaterial.Dessutom är det lätt att reagera, vilket leder till korrosion av kopparkopplingen och kretsbrott under användningen av chipet.För att lösa detta problem bör ett barriärskikt sättas mellan koppar- och det dielektriska skiktet.
Målmaterialen som används i barriärskiktet av kopparsammankoppling inkluderar Ta, W, TaSi, WSi, etc. Men Ta och W är eldfasta metaller.Det är relativt svårt att tillverka och legeringar som molybden och krom studeras som alternativa material.
2. För displayen
Plattskärmar (FPD) har kraftigt påverkat den katodstrålerör (CRT)-baserade datorskärmar och TV-marknaden under åren, och kommer också att driva tekniken och marknadens efterfrågan på ITO-målmaterial.Det finns två typer av ITO-mål idag.En är att använda nanometertillstånd av indiumoxid och tennoxidpulver efter sintring, den andra är att använda indiumtennlegeringsmål.ITO-film kan tillverkas genom DC-reaktiv sputtering på indium-tennlegeringsmål, men målytan kommer att oxidera och påverka förstoftningshastigheten, och det är svårt att få ett legeringsmål i stor storlek.
Nuförtiden används den första metoden generellt för att producera ITO-målmaterial, vilket är sputterbeläggning genom magnetronförstoftningsreaktion.Den har en snabb avsättningshastighet.Filmtjockleken kan kontrolleras noggrant, konduktiviteten är hög, filmens konsistens är god och substratets vidhäftning är stark.Men målmaterialet är svårt att göra, eftersom indiumoxid och tennoxid inte lätt sintras ihop.I allmänhet väljs ZrO2, Bi2O3 och CeO som sintringstillsatser, och målmaterialet med en densitet på 93% ~ 98% av det teoretiska värdet kan erhållas.Prestandan hos ITO-film bildad på detta sätt har ett bra förhållande till tillsatserna.
Blockeringsresistiviteten för ITO-film som erhålls genom att använda sådant målmaterial når 8,1×10n-cm, vilket är nära resistiviteten för ren ITO-film.Storleken på FPD och ledande glas är ganska stor, och bredden på ledande glas kan till och med nå 3133 mm.För att förbättra utnyttjandet av målmaterial utvecklas ITO-målmaterial med olika former, såsom cylindrisk form.År 2000 inkluderade den nationella utvecklingsplaneringskommissionen och ministeriet för vetenskap och teknik ITO stora mål i riktlinjerna för nyckelområden inom informationsindustrin som för närvarande prioriteras för utveckling.
3. Användning av förvaring
När det gäller lagringsteknik kräver utvecklingen av hårddiskar med hög densitet och stor kapacitet ett stort antal gigantiska reluktansfilmmaterial.CoF~Cu flerskiktskompositfilm är en mycket använd struktur av jättelik reluktansfilm.Målmaterialet TbFeCo-legering som behövs för magnetskivor är fortfarande i vidareutveckling.Magnetskivan tillverkad med TbFeCo har egenskaperna stor lagringskapacitet, lång livslängd och upprepad beröringsfri raderbarhet.
Antimon germanium tellurid baserat fasförändringsminne (PCM) visade betydande kommersiell potential, blir en del av NOR-flashminnen och DRAM-marknaden en alternativ lagringsteknik, men i implementeringen snabbare nedskalad är en av utmaningarna på vägen att existera bristen på att återställa den nuvarande produktionen kan sänkas ytterligare helt förseglad enhet.Att minska återställningsströmmen minskar minnesströmförbrukningen, förlänger batteritiden och förbättrar databandbredden, alla viktiga funktioner i dagens datacentrerade, mycket portabla konsumentenheter.
Posttid: 2022-09-09